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                                ZXMP6A17E6TA
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Diodes Incorporated ZXMP6A17E6TA

Fabricante:

Diodes Incorporated

Número de pieza del fabricante:

ZXMP6A17E6TA

Paquete:

SOT-26-6

RoHS:
Ficha de datos:

ZXMP6A17E6TA

Descripción:

MOSFET P-Ch 60 Volt 3.0A

ECAD Model:
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  • FAQs
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Especificaciones técnicas del producto

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Atributo del producto Valor de atributo Buscar similares
Manufacturer Diodes Incorporated
Product Category MOSFET
RoHS
Product MOSFET Small Signal
Forward Transconductance - Min 4.7 S
Rds On - Drain-Source Resistance 125 mOhms
Rise Time 3.4 ns
Fall Time 11.3 ns
Mounting Style SMD/SMT
Pd - Power Dissipation 1.92 W
Product Type MOSFET
Number Of Channels 1 Channel
Package / Case SOT-26-6
Length 3.1 mm
Width 1.8 mm
Height 1.3 mm
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Channel Mode Enhancement
Series ZXMP6A
Packaging Cut Tape or Reel
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Transistor Polarity P-Channel
Transistor Type 1 P-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage 10 V
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage 1 V
Qg - Gate Charge 17.7 nC
Technology Si
Id - Continuous Drain Current 3 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
Typical Turn-Off Delay Time 26.2 ns
Typical Turn-On Delay Time 2.6 ns
Factory Pack Quantity 3000
Subcategory MOSFETs
Unit Weight 0.000529 oz
Manufacturer,Drain-source breakdown voltage,FET类型,工作温度(Tj),Type of installation,功率(Max),漏极电流Id(连续)(Max),search for,Package,On Resistance - Max,Drain current,连续漏极电流Id@25℃,FET configuration,Channel Type,High Side Voltage - Max (Bootstrap),Current - Peak Output (Source, Sink),Logic Voltage - VIL, VIH,Gate Type,Features,Driven Configuration,Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C,Continuous Drain Current (Id) @ 25°C,漏极电流Idss,品牌,原产国家,引线数量,不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值),零件状态,是否无铅,存储温度,元件生命周期,漏源极电压(Vdss),Power Dissipation-Max (Ta=25°C),Package/Temperature,Pt,VCES,VCE(sat)(Typ.),IC(Max.)(A),导通电阻Rds On(Max),漏源电压(Vdss),输入电容(Ciss)(Max),栅极电荷(Qg)(Max),Operating Supply Voltage,Number of Drivers,Maximum DC Collector Current,Input Type,Collector-Emitter Breakdown Voltage,,Product Category,Shipping Restrictions,Type,Product,Forward Transconductance - Min,Rds On - Drain-Source Resistance,Rise Time,Fall Time,Pd - Power Dissipation,Compliance,Product Type,Number of Channels,Termination Style,Package / Case,Minimum Operating Temperature,Moisture Sensitive,Series,Part # Aliases,Transistor Polarity,Transistor Type,Vgs - Gate-Source Voltage,Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage,Qg - Gate Charge,Technology,Id - Continuous Drain Current,Vds - Drain-Source Breakdown Voltage,Typical Turn-Off Delay Time,Typical Turn-On Delay Time,Subcategory,Unit Weight,Tradename,
Diodes Incorporated,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,MOSFET,,,MOSFET Small Signal,4.7 S,125 mOhms,3.4 ns,11.3 ns,1.92 W,,MOSFET,1 Channel,,SOT-26-6,- 55 C,,ZXMP6A,,P-Channel,1 P-Channel,10 V,1 V,17.7 nC,Si,3 A,60 V,26.2 ns,2.6 ns,MOSFETs,0.000529 oz,,
726063
1148
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/MOSFET_1148?proid=726063&N=
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