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                                BSC010N04LSI
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Infineon Technologies BSC010N04LSI

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza del fabricante:

BSC010N04LSI

Paquete:

TDSON-8

RoHS:
Ficha de datos:

BSC010N04LSI

Descripción:

MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

ECAD Model:
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Especificaciones técnicas del producto

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Manufacturer Infineon
Product Category MOSFET
RoHS
Forward Transconductance - Min 130 S
Rds On - Drain-Source Resistance 900 uOhms
Rise Time 48 ns
Fall Time 17 ns
Mounting Style SMD/SMT
Pd - Power Dissipation 139 W
Product Type MOSFET
Number Of Channels 1 Channel
Package / Case TDSON-8
Length 5.9 mm
Width 5.15 mm
Height 1.27 mm
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Channel Mode Enhancement
Series OptiMOS 5
Packaging Cut Tape or Reel
Part # Aliases BSC010N04LSIATMA1 SP000953210
Brand Infineon Technologies
Configuration Single
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage 1.2 V
Qg - Gate Charge 122 nC
Technology Si
Id - Continuous Drain Current 100 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 40 V
Typical Turn-Off Delay Time 72 ns
Typical Turn-On Delay Time 22 ns
Factory Pack Quantity 5000
Subcategory MOSFETs
Unit Weight 0.003527 oz
Tradename OptiMOS
Manufacturer,Drain-source breakdown voltage,FET类型,工作温度(Tj),Type of installation,功率(Max),漏极电流Id(连续)(Max),search for,Package,On Resistance - Max,Drain current,连续漏极电流Id@25℃,FET configuration,Channel Type,High Side Voltage - Max (Bootstrap),Current - Peak Output (Source, Sink),Logic Voltage - VIL, VIH,Gate Type,Features,Driven Configuration,Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C,Continuous Drain Current (Id) @ 25°C,漏极电流Idss,品牌,原产国家,引线数量,不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值),零件状态,是否无铅,存储温度,元件生命周期,漏源极电压(Vdss),Power Dissipation-Max (Ta=25°C),Package/Temperature,Pt,VCES,VCE(sat)(Typ.),IC(Max.)(A),导通电阻Rds On(Max),漏源电压(Vdss),输入电容(Ciss)(Max),栅极电荷(Qg)(Max),Operating Supply Voltage,Number of Drivers,Maximum DC Collector Current,Input Type,Collector-Emitter Breakdown Voltage,,Product Category,Shipping Restrictions,Type,Product,Forward Transconductance - Min,Rds On - Drain-Source Resistance,Rise Time,Fall Time,Pd - Power Dissipation,Compliance,Product Type,Number of Channels,Termination Style,Package / Case,Minimum Operating Temperature,Moisture Sensitive,Series,Part # Aliases,Transistor Polarity,Transistor Type,Vgs - Gate-Source Voltage,Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage,Qg - Gate Charge,Technology,Id - Continuous Drain Current,Vds - Drain-Source Breakdown Voltage,Typical Turn-Off Delay Time,Typical Turn-On Delay Time,Subcategory,Unit Weight,Tradename,
Infineon,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,MOSFET,,,,130 S,900 uOhms,48 ns,17 ns,139 W,,MOSFET,1 Channel,,TDSON-8,- 55 C,,OptiMOS 5,BSC010N04LSIATMA1 SP000953210,N-Channel,1 N-Channel,20 V,1.2 V,122 nC,Si,100 A,40 V,72 ns,22 ns,MOSFETs,0.003527 oz,OptiMOS,
732695
1148
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