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                                STW20NK50Z
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STMicroelectronics STW20NK50Z

Fabricante:

STMicroelectronics

Número de pieza del fabricante:

STW20NK50Z

Paquete:

TO-247-3

RoHS:
Ficha de datos:

STW20NK50Z

Descripción:

MOSFET N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH

Tiempo de espera:

11 Weeks

Especificaciones técnicas del producto

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Atributo del producto Valor de atributo Buscar similares
Manufacturer STMicroelectronics
Product Category MOSFET
RoHS
Rds On - Drain-Source Resistance 270 mOhms
Rise Time 20 ns
Fall Time 15 ns
Mounting Style Through Hole
Pd - Power Dissipation 190 W
Product Type MOSFET
Number of Channels 1 Channel
Package / Case TO-247-3
Length 15.75 mm
Width 5.15 mm
Height 20.15 mm
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Channel Mode Enhancement
Series STW20NK50Z
Brand STMicroelectronics
Configuration Single
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage 10 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V
Qg - Gate Charge 85 nC
Technology Si
Id - Continuous Drain Current 20 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 500 V
Typical Turn-Off Delay Time 70 ns
Typical Turn-On Delay Time 28 ns
Factory Pack Quantity 600
Subcategory MOSFETs
Unit Weight 1.340411 oz
Tradename SuperMESH
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No se recibieron comentarios ~
Manufacturer,Continuous Drain Current (Id) @ 25°C,Power Dissipation-Max (Ta=25°C),Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C,High Side Voltage - Max (Bootstrap),Driven Configuration,Features,Gate Type,Current - Peak Output (Source, Sink),Logic Voltage - VIL, VIH,Operating Supply Voltage,Number of Drivers,Maximum DC Collector Current,Input Type,Collector-Emitter Breakdown Voltage,,Product Category,Shipping Restrictions,Type,Product,Forward Transconductance - Min,Rds On - Drain-Source Resistance,Rise Time,Fall Time,Pd - Power Dissipation,Compliance,Product Type,Number of Channels,Termination Style,Package / Case,Minimum Operating Temperature,Moisture Sensitive,Series,Part # Aliases,Transistor Polarity,Transistor Type,Vgs - Gate-Source Voltage,Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage,Qg - Gate Charge,Technology,Id - Continuous Drain Current,Vds - Drain-Source Breakdown Voltage,Typical Turn-Off Delay Time,Typical Turn-On Delay Time,Subcategory,Unit Weight,Tradename,
STMicroelectronics,,,,,,,,,,,,,,,,MOSFET,,,,,270 mOhms,20 ns,15 ns,190 W,,MOSFET,1 Channel,,TO-247-3,- 55 C,,STW20NK50Z,,N-Channel,1 N-Channel,10 V,3 V,85 nC,Si,20 A,500 V,70 ns,28 ns,MOSFETs,1.340411 oz,SuperMESH,
738049
1148
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/MOSFET_1148?proid=738049&N=
$
13 1.23723
50 1.00656
75 0.92967
150 0.84579
300 0.74793
600 0.70599
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