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                                CSD18532Q5B
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Texas Instruments CSD18532Q5B

Fabricante:

Texas Instruments

Número de pieza del fabricante:

CSD18532Q5B

Paquete:

VSON-CLIP-8

RoHS:
Ficha de datos:

CSD18532Q5B

Descripción:

MOSFET 60-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET

Tiempo de espera:

12 Weeks

Especificaciones técnicas del producto

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Atributo del producto Valor de atributo Buscar similares
Manufacturer Texas Instruments
Product Category MOSFET
RoHS
Forward Transconductance - Min 143 S
Rds On - Drain-Source Resistance 3.2 mOhms
Rise Time 7.2 ns
Fall Time 3.1 ns
Mounting Style SMD/SMT
Pd - Power Dissipation 156 W
Product Type MOSFET
Number of Channels 1 Channel
Package / Case VSON-CLIP-8
Length 6 mm
Width 5 mm
Height 1 mm
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Channel Mode Enhancement
Series CSD18532Q5B
Packaging Cut Tape or Reel
Brand Texas Instruments
Configuration Single
Transistor Polarity N-Channel
Transistor Type 1 N-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage 10 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.5 V
Qg - Gate Charge 44 nC
Technology Si
Id - Continuous Drain Current 172 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
Typical Turn-Off Delay Time 22 ns
Typical Turn-On Delay Time 5.8 ns
Factory Pack Quantity 2500
Subcategory MOSFETs
Tradename NexFET
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No se recibieron comentarios ~
Manufacturer,Continuous Drain Current (Id) @ 25°C,Power Dissipation-Max (Ta=25°C),Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C,High Side Voltage - Max (Bootstrap),Driven Configuration,Features,Gate Type,Current - Peak Output (Source, Sink),Logic Voltage - VIL, VIH,Operating Supply Voltage,Number of Drivers,Maximum DC Collector Current,Input Type,Collector-Emitter Breakdown Voltage,,Product Category,Shipping Restrictions,Type,Product,Forward Transconductance - Min,Rds On - Drain-Source Resistance,Rise Time,Fall Time,Pd - Power Dissipation,Compliance,Product Type,Number of Channels,Termination Style,Package / Case,Minimum Operating Temperature,Moisture Sensitive,Series,Part # Aliases,Transistor Polarity,Transistor Type,Vgs - Gate-Source Voltage,Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage,Qg - Gate Charge,Technology,Id - Continuous Drain Current,Vds - Drain-Source Breakdown Voltage,Typical Turn-Off Delay Time,Typical Turn-On Delay Time,Subcategory,Unit Weight,Tradename,
Texas Instruments,,,,,,,,,,,,,,,,MOSFET,,,,143 S,3.2 mOhms,7.2 ns,3.1 ns,156 W,,MOSFET,1 Channel,,VSON-CLIP-8,- 55 C,,CSD18532Q5B,,N-Channel,1 N-Channel,10 V,1.5 V,44 nC,Si,172 A,60 V,22 ns,5.8 ns,MOSFETs,,NexFET,
737858
1148
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/MOSFET_1148?proid=737858&N=
$
1 2.768633
10 2.349839
100 1.826361
250 1.779831
500 1.547184
1000 1.314523
2500 1.302883
5000 1.209824
10000 1.152828
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